Simcenter™ T3STER™（发音为“Tris-ter”）系统是一款先进的无损瞬态热测试仪，用于封装半导体器件（二极管，BJT，功率MOSFET，IGBT，功率LED）和多管芯器件的热特性分析，能够进行原位测试。我们的解决方案是由软件和硬件组成的专有系统，可为半导体，交通运输，消费电子和LED市场提供支持。

测量真实的热瞬态响应要比稳态方法有效得多。测量高达±0.01°C，时间分辨率高达1微秒，可产生准确的热度量。结构函数将响应后处理为一个曲线图，该曲线图显示了沿热流路径的封装特征的热阻和电容。容易理解结构上的故障，例如芯片连接故障，这使它成为可靠性分析中理想的预应力和后应力故障检测工具。可以导出测量结果以进行热模型校准，从而增强了热设计工作的准确性。

Simcenter T3STER的9大主要优势

应用简易

使用Simcenter T3STER进行测量非常容易。将样品固定在所需的热环境中，然后通过电线将其连接到测试仪，这与分立设备（例如二极管，LED或晶体管）的正常工作条件相似。即使是复杂的数字IC，也可以使用4根导线通过其衬底二极管进行测试。该软件为连接提供指导，使系统更易于学习和使用。

可重复&可再现

Simcenter T3STER提供可重复和可再现的测试结果。对同一样品的重复测量将一遍又一遍地提供相同的测试数据，从而无需进行多次测试并在大多数标准情况下进行平均。这样可以节省宝贵的测试时间。

Simcenter T3STER的测量结果也是可重复的。使用我们生产的任何经过校准的Simcenter T3STER系统测量同一样品，始终可以提供可比的测试结果。当不同的测试组和组织共享和比较有关半导体热性能的信息时，这使Simcenter T3STER测量成为一种“通用语言”。

支持各种各样的半导体元件

Simcenter T3STER可以测试大多数常见的半导体类型，二极管，MOSFET，IGBT，数字VLSI IC等。我们的工程团队始终渴望在必要时为更多“异国情调”的设备找到合适的测试方法。

深入了解热结构

Simcenter T3STER测量后，热瞬态响应曲线将用于进一步分析。我们的带有硬件的Simcenter T3STER-Master软件可以将热响应转换为结构函数，这些函数描述了从半导体结到环境的热流路径。结构函数具有多种用途，可以帮助定义标准的热度量，例如RthJC，RthJA，可以通过突出显示半导体封装中关键的热界面层及其热环境中的潜在结构错误来帮助在不同的材料选择之间进行比较或支持失效分析。

快速吞吐量（非重复）

Simcenter T3STER的测量速度快于设备的物理性能所允许的速度。使用JEDEC JESD 51-1静态测试方法，Simcenter T3STER将对组件加热一次，然后在设备冷却时实时捕获冷却曲线。由于出色的信噪比，仅捕获一次响应曲线就足够了。可以肯定地说，Simcenter T3STER应用了最快的测试方法。

无损测试

Simcenter T3STER测量是非破坏性的。在对样品进行测试后，每种情况下样品均保持正常运行。这样就可以将Simcenter T3STER测试用于质量检查，甚至可以根据其热性能对实际的生产单元进行监控和分类。

原位测试组件

Simcenter T3STER允许进行原位测试，无论空气冷却，冷板安装，水套或PCB上的组件如何，它都可以在其原始的操作环境中测量样品的热性能。我们的技术不使用热电偶，也不需要像IR测试那样打开包装。这样，我们可以测试真正的热性能，而不会分散热边界条件，甚至不会影响到最小程度。

基于测试的紧凑型热模型

根据Simcenter T3STER测试结果计算的结构函数是热R-C网络模型。在组件的案例节点处切割模型可提供测试包装的一维热行为模型。将该模型导出到Simcenter Flotherm™或Simcenter FLOEFD™，可以使用一种快速而可靠的方法来生成基于测试的热模型，并在复杂的3D CFD环境中模拟其行为。建议将这种方法用于分立功率半导体封装，例如TO-220，TO-247或普通LED封装。

详细的热模型校准

为了获得更准确的仿真，最好的，通用的选项是对该软件包进行详细的3D等效处理。但是，仿真结果与模型本身一样准确，材料属性或几何形状中的任何建模错误都可能导致仿真数据不准确。不幸的是，即使对于元件制造商而言，热界面层的材料性能通常也是不确定的参数。以Simcenter T3STER测量结果为参考，我们的Simcenter Flotherm和Simcenter FLOEFD工具可以校准组件模型，以创建真实组件的真实数字孪生，以实现最大的建模精度。将组件模型校准为Simcenter T3STER测试后，对于任何任意功率输入，它都应充当真实的物理样本，从而使复杂的瞬态仿真也非常准确。